И поныне создание миниатюрных полупроводниковых приборов полагалось в большинстве случаев на технике лучево-молекулярной эпитаксии, помогающей изготавливать планарные слои из различных прародителей с толщиной вплоть до моноатомной. Однако данные мероприятия имеют значительные ограничения, мешающие изготавливать такие малые структуры.
Сюда относится значительная температура эпитаксии - до многих десятков тысяч градусов, за счет которой если и выполняется увеличение уникальных покрытий, только не обеспечивается локальность формируемых областей. Также, повышенные температуры подложки обеспечивают необратимые процессы, обнажающие нестандартные коэффициенты. Менее редкие способы осыпания, типа насыпания, из-за своевременности осаждения структуры на всю пленку, сильного развития в разных участках участков охлажденного материала и следующего получения эффектов на их границах раздела также не позволяли делать ровные наноструктуры.